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DDR4LPDDR3内存曝光用于PC移动

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来源: 作者: 2019-03-04 19:18:27

目前的DRAM市场分两类主流技术:一种是用于服务器和PC的DDR3,另一种是用于智能、平板电脑等移动设备的LPDDR2,这些技术具体的指标均由各大半导体公司及其客户组成的业界组织JEDEC所制定。

去年JEDEC在多个会议上陆陆续续公布了一些关于下代内存芯片产品DDR4的技术规格。而本周在旧金山召开的ISSCC 2012学术会议上,更是有厂商拿出了DDR4 DRAM和LPDDR3 DRAM这两款未来主力的实际成品,下面就让我们来看看它们的 庐山真面目 。

DDR4 DRAM的样品芯片速度可达3.3Gbps

基本上来说,DDR4 DRAM的研发目标为速度达到DDR3 DRAM的2倍。

DDR4LPDDR3内存曝光用于PC移动

目前多数高速DDR3 DRAM的传输带宽为1.6Gbps(1666Mbps,等效频率DDR),DDR4的具体目标自然是达到3.2Gbps。

JEDEC为DDR4设定的目标是2013年进入服务器领域市场,2014年真正在主流PC市场取代DDR3。换一种说法,就是去年DDR4芯片还没有拿得出手的样品,顶多只是在实验室中能制造出来,比如三星电子在去年1月4日宣布DDR4 DRAM首次开发成功。

▲DDR3向DDR4的过渡计划

▲DDR3和DDR4 DRAM的主要规格

不过全球最大存储芯片厂商三星到底不会让我们失望,这次三星和另一家韩国半导体大厂Hynix(海力士半导体)就在ISSCC 2012上拿出了真正的DDR4内存芯片样品。三星电子的样品基于30nm CMOS工艺和3层金属配线技术制造,单颗容量为4Gbit,设定运行电压为1.2V。实际运行的电压为1.14V,测定传输速度为3.3Gbps(DDR)。当然,在三星20nm半导体生产线已经投入运行的情况下,DDR4 DRAM未来肯定会使用更先进的20nm制程工艺,频率将会比等效3300MHz更高。

▲三星4Gbit DDR4 DRAM的核心照片和主要规格

▲三星DDR4 DRAM的数据测定结果

而Hynix拿出的颗粒样品容量为2Gbit,制造工艺基于38nm CMOS和3层金属配线技术,设定运行电压同样为1.2V。实际运行频率为2.4Gbps(DDR),考虑到制造工艺为38nm也算是个不错的数字。而和DDR3 DRAM同样运行于2133Mbps的带宽时,新的DDR4内存颗粒工作电压仅为1.0V,消耗的电能对比DDR3可降低8成。

▲Hynix 2Gbit DDR4 DRAM的核心照片和主要规格

▲Hynix DDR4样品与DDR3的比较测试结果

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